| 发明名称 |
包含在其周边周围之闸极驱动器之半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GATE DRIVERS AROUND A PERIPHERY THEREOF |
| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置及其形成方法，在一实施例中，该半导体装置包含使用复数个横向扩散金氧半导体(「LDMOS」)单元形成之一半导体晶粒1105及电耦合至该复数个LDMOS单元之一金属层1130。该半导体装置亦包含复数个闸极驱动器1191，其等沿该半导体晶粒1105之一周边定位且透过该金属层1130电耦合至该复数个LDMOS单元之闸极。 |
| 申请公布号 |
TW201426977 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102143348 |
申请日期 |
2013.11.27 |
| 申请人 |
艾特拉公司 |
发明人 |
洛特非 亚西瑞夫Ｗ;丹姆斯琪 杰佛瑞;菲根森 安那托利;洛派塔 道格拉斯 狄恩;诺顿 杰;卫尔德 约翰Ｄ |
| 分类号 |
H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
ALTERA CORPORATION 美国 |
