发明名称 积层构造体、半导体制造装置用构件及积层构造体的制造方法
摘要 积层构造体10系包括:第1构造体12、第2构造体14和反应层15,第1构造体12系以镁-铝氧氮化物,来作为主相,第2构造体14系以氮化铝,来作为主相,包含具有石榴红型之结晶构造之稀土类铝复合氧化物之粒界相,反应层15系存在于第1构造体12和第2构造体14之间,成为稀土类铝复合氧化物之粒界相18之稀薄之氮化铝层。该积层构造体10系反应层15之厚度为150μm以下。此外,积层构造体10系第1构造体12和第2构造体14之线热膨胀系数之差异为0.3ppm/K以下。积层构造体10系藉由在第2构造体14之烧成时,粒界相18扩散至第1构造体12部分,而以该粒界相18成为稀薄之扩散界面17,来形成反应层15。
申请公布号 TW201425263 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102131945 申请日期 2013.09.05
申请人 日本碍子股份有限公司 发明人 神藤明日美;井上胜弘;胜田佑司
分类号 C04B35/01(2006.01) 主分类号 C04B35/01(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 NGK INSULATORS, LTD. 日本