发明名称 基极-集极接面电容减量的双极接面电晶体;BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS WITH REDUCED BASE-COLLECTOR JUNCTION CAPACITANCE
摘要 用于制造一装置结构(例如双极接面电晶体)的方法、用于双极接面电晶体的装置结构以及用于双极接面电晶体的设计结构。该装置结构包括形成于基板中的集极区、与该集极区共同延伸的本质基极、与该本质基极耦接的射极、围绕该集极区的第一隔离区以及至少部分形成于该集极区内的第二隔离区。该第一隔离区具有第一侧壁,并且该第二隔离区具有在该第一侧壁内周围的第二侧壁。该集极区之一部分系设置于该第一隔离区之该第一侧壁与该第二隔离区之该第二侧壁之间。
申请公布号 TW201426905 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102112645 申请日期 2013.04.10
申请人 万国商业机器公司 发明人 郑朋;哈莱姆 大卫L;莱帝 劳勃K;刘奇纪
分类号 H01L21/76(2006.01);H01L29/73(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美国