用于在包含密间隔线的基板上形成具增加可靠度的层间介电材料之技术

摘要

移除藉由SACVD沉积之层间介电材料的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料以前，可形成一种缓冲材料(如二氧化矽)，因此当层间介电材料沉积于具有不同高内在应力位准之介电层时，于沉积制程期间会产生加强之一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供之优点的情况下可加强层间介电材料的可靠度。

主权项

一种制造半导体装置之方法，包括：于半导体装置的复数个紧密间隔之电晶体上形成蚀刻停止材料，其中，该蚀刻停止层的第一部分系以具有压缩应力之方式形成于该电晶体之第一者上，且该蚀刻停止层的第二部分系以具有拉伸应力之方式形成于该电晶体之第二者上；藉由设计成完全填充该紧密间隔之电晶体间所形成的间隔之第一沉积制程，而于该紧密间隔之电晶体与该蚀刻停止材料上形成第一层间介电材料；移除部分的该第一层间介电材料，以维持该间隔至少部分地被填充有该第一层间介电材料；以及形成第二层间介电材料于该第一层间介电材料上。