发明名称 湿法腐蚀NiCrSi膜的方法
摘要 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤,有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题;由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水,不适合常规腐蚀方法的一次腐蚀多个硅片,只能适合本发明的单片逐一腐蚀,因此本发明方法在原材料成本控制上优于常规腐蚀方法。本发明方法通过采用固定支架的培养皿,有效解决了常规方法的操作不便问题;通过采用单独放置硅片的带提手的工夹具,有效解决了常规腐蚀方法的过腐蚀问题。本发明方法在腐蚀NiCrSi膜后,硅片表面由硫酸铈造成的点子缺陷小于20个/视场,其加工的表面镜检合格率能达90%以上。
申请公布号 CN102664148B 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201210153851.0 申请日期 2012.05.17
申请人 中国电子科技集团公司第二十四研究所 发明人 王大平;梁涛;周世远;张正元;曹阳
分类号 H01L21/306(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/306(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法,包括以下几个步骤:1)制备带NiCrSi膜腐蚀窗口的硅片;2)配制腐蚀液,所述腐蚀液的配制步骤为:结晶硫酸高铈25g倒入玻璃瓶中,并向所述玻璃瓶中倒入250ml去离子水;腐蚀槽中装占腐蚀槽体积2/3的水,加热;玻璃瓶放入所述腐蚀槽中,不断用玻璃棒搅拌,直至形成桔黄色的结晶硫酸高铈饱和溶液;再将25ml硝酸加入玻璃瓶中,不断用玻璃棒搅拌,直至形成橙红色的溶液;从腐蚀槽中取出玻璃瓶,常温静置、冷却5分钟以上,形成透明的腐蚀液;3)对所述腐蚀窗口上的NiCrSi膜进行腐蚀;4)对腐蚀后的硅片进行正反面的水枪近距离冲水处理,再在常规冲水槽中进行远距离冲水处理:右手拿镊子夹住硅片,左手及时拿与常规冲水槽压力相当的水枪近距离冲洗硅片正反面各5次;再将所述硅片放入四氟花蓝中,并放入清洗腐蚀系统中的冲水槽进行常规的冲水处理;5)对腐蚀后的硅片用发烟硝酸进行清洗处理。
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