| 摘要 |
Ce procédé de fabrication d'une structure (3) comportant successivement un substrat support (2), une couche diélectrique (10), une couche active (11), une couche intercalaire (20) en silicium polycristallin, comporte les étapes : a) fournir un substrat donneur, b) former une zone de fragilisation dans le substrat donneur, c) fournir le substrat support (2), d) former la couche intercalaire (20) sur le substrat support (2), e) former la couche diélectrique (10), f) assembler le substrat donneur (1) et le substrat support (2), g) fracturer le substrat donneur (1) suivant la zone de fragilisation, h) soumettre la structure (3) à un recuit de renforcement d'au moins 10 minutes, le procédé de fabrication étant remarquable en ce que l'étape d) est exécutée de sorte que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une orientation de grains entièrement aléatoire, et en ce que le recuit de renforcement est exécuté à une température strictement supérieure à 950°C et inférieure à 1200°C. |
