一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置

摘要

本发明公开了一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置。所述肖特基单触发开关集成EFI芯片单元包括：Si3N4的硅基底、金属Ti/Cu层、聚酰亚胺层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au和肖特基二级管，所述爆炸箔起爆装置包括肖特基单触发开关集成EFI芯片单元、飞片、加速膛、炸药柱、印制电路板底座、传输线、低压贴片电容、高压贴片电容。本发明与现有技术相比，其显著优点在于金属Ti/Cu层在肖特基单触发开关单元中作下电极，在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔，聚酰亚胺层在肖特基单触发开关单元中作上下电极间的绝缘层，在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔起爆器的飞片层，减少了工艺流程，成本低，体积小；肖特基二极管具有反向击穿特性，使开关能够抗杂散电流，具有本质的安全性。

主权项

一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元，其特征是：所述单元包括Si₃N₄的硅基底（1）、金属Ti/Cu层（2）、聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）；所述Si₃N₄的硅基底（1）上设置金属Ti/Cu层（2），所述金属Ti/Cu层（2）分为下电极区和桥箔区，所述下电极区为矩形结构，桥箔区为两端宽中间窄的桥型结构，窄的部分为爆炸箔（6），宽的一端与下电极区相连，所述金属Ti/Cu层（2）上设置聚酰亚胺层（3），所述聚酰亚胺层（3）完全覆盖下电极区及部分桥箔区，使未与下电极区相连的桥箔区宽的一端金属铜层裸露，所述下电极区聚酰亚胺层（3）上设置上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4），上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）上设置肖特基二级管（5），所述下电极区以及设置在其上的聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）构成单触发开关单元。