半导体设备及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体设备及其制造方法。目的是在不降低诸如有源矩阵显示设备的半导体设备中的晶体管的驱动能力的情况下减小寄生电容的电容值。此外，另一目的是以低成本提供一种其中寄生电容的电容值被减小的半导体设备。在由与晶体管的栅极电极相同的材料层形成的布线与由与源极电极或漏极电极相同的材料层形成的布线之间提供除栅极绝缘层之外的绝缘层。

主权项

一种显示设备，包括：绝缘层，在扫描线和信号线之间并且在所述扫描线与所述信号线的交叉部分中，其中所述绝缘层不是晶体管的栅极绝缘层，其中所述绝缘层与所述交叉部分中的所述扫描线的顶表面相接触，其中所述绝缘层的宽度比所述扫描线的宽度窄，其中所述扫描线由与所述晶体管的栅极电极相同材料的层形成，以及其中所述信号线由与所述晶体管的源极电极或漏极电极相同材料的层形成。