一种提高电荷泵效率的方法

摘要

本发明公开了一种提高电荷泵效率的方法，当PMOS应用于电荷泵时，在PMOS导通瞬间，PMOS的漏极电压高于PMOS的源极电压时，控制PMOS的漏极和源极之间的电压差小于该PMOS的寄生PNP三极管的导通电压，这样，就使得该PMOS的寄生PNP三极管处于截止状态，采用了降低输入电压的方式减少在PMOS导通瞬间，PMOS的漏极电压高于PMOS的源极电压时的能量损失。

主权项

一种提高电荷泵效率的方法，其特征在于，PMOS应用在电荷泵时，在PMOS中具有寄生PNP三极管，该寄生PNP三极管的发射极连接该PMOS的漏极，该寄生PNP三极管的基极与该PMOS的N阱连接后，接入到该PMOS的源极上，该寄生PNP三极管的集电极与衬底连接，其特征在于，该方法还包括：当该PMOS导通瞬间，在该PMOS的漏极和源极之间加载低于该寄生PNP三极管导通电压的电压。