通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力

摘要

本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制，用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中，通过在使用的牺牲层上形成微掩模层，并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇（520）来形成微掩模层。当在牺牲层（810）之上形成MEMS装置的下一个部分时，该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中，更粗糙的表面（910）降低了可用于接触的表面积，并且，反过来，降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。

主权项

一种用于制造微机电系统（MEMS）装置的方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一多晶硅层;在所述第一多晶硅层之上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成多个纳米团簇;在所述形成所述多个纳米团簇之后使用湿法蚀刻工艺蚀刻所述牺牲层，其中所述湿法蚀刻是对所述牺牲层选择性的，所述纳米团簇提供用于所述蚀刻的微掩模层，以及与所述形成所述牺牲层时的表面的粗糙度相比，所述蚀刻增加了所述牺牲层的所述表面的粗糙度；在所述蚀刻所述牺牲层之后在所述牺牲层上形成第二多晶硅层。