凹入式晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种凹入式晶体管器件的制造方法，其特征包含有提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含至少一开口；经由所述硬掩膜层的开口刻蚀所述外延层，以形成一栅极沟槽；于所述栅极沟槽的表面形成一栅极氧化层；于所述栅极沟槽内形成一凹入式栅极；于所述凹入式栅极上形成一上盖层；去除所述硬掩膜层；于所述外延层中形成一离子阱；于所述离子阱中形成一源极掺杂区；于所述上盖层及所述凹入式栅极的侧壁上形成一隔离壁；以及以所述上盖层及所述隔离壁为刻蚀掩膜自对准刻蚀所述外延层，以形成一接触孔。

主权项

一种凹入式晶体管器件的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层上形成一硬掩膜层，所述硬掩膜层包含有至少一开口；经由所述硬掩膜层的开口刻蚀所述外延层，以形成一栅极沟槽；于所述栅极沟槽的表面形成一栅极氧化层；于所述栅极沟槽内形成一凹入式栅极；于所述凹入式栅极上形成一上盖层；去除所述硬掩膜层；于所述外延层中形成一离子阱；于所述离子阱中形成一源极掺杂区；于所述上盖层及所述凹入式栅极的侧壁上形成一隔离壁；以及以所述上盖层及所述隔离壁为刻蚀掩膜，自对准刻蚀所述外延层，以形成一接触孔。