一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法

摘要

本发明涉及一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，其特征在于采用流延成型和叠层工艺制备出多孔的含碳素坯，并应用于反应烧结碳化硅陶瓷的制备。包含如下步骤：不同比例C/SiC混合粉体在加入适量溶剂、分散剂与粘结剂混合均匀后，将所得到的浆料流延成型得到薄膜。室温干燥后将流延膜剪裁成所需要的尺寸，叠加并在1-30MPa压力下干压成具有一定厚度的多层结构，然后在真空炉中脱粘，最后将脱粘后的素坯在真空炉中反应渗硅，反应温度在1420-1650℃之间，保温时间为5-60分钟。有利于素坯中SiC与C粉的分散以及孔径分布和孔隙率的控制，而且还具有可叠层设计的特点。

主权项

一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法，包括多孔含碳素坯的制作和对该素坯反应渗硅，其特征在于包括如下步骤： 1)将碳粉加入含分散剂的溶液中，超声分散后再球磨，然后加入一定量的碳化硅粉，球磨，然后加入粘结剂和塑性剂，再经球磨，得到分散均匀的混合浆料；浆料中C和SiC的质量百分比为5：95‑95：5； 2)将步骤1)所得到的浆料在Mylar膜上流延成型，刮刀高度在100‑400μm之间； 3)步骤2)所得到的流延膜在室温自然干燥2‑12小时后从Mylar膜带上剥离下来； 4)将干燥后的流延膜用剪切磨具切成各种尺寸的方片，叠层后放入模具中并施加1‑30MPa的轴向压力，并保压； 5)叠层后的流延膜脱模后经500℃‑800℃脱粘并保温得到孔径分布均匀的含碳素坯；脱粘时的升温速率低于5℃/min； 6)将得到的含碳素坯放置在硅片上，真空条件下反应渗硅，反应温度在1420‑1650℃之间。