| 发明名称 | 逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm<sup>3</sup>～3e16/cm<sup>3</sup>，减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚，而浓度可以做的更加精确，所以可以进一步的优化逆导型绝缘栅双极晶体管的通态压降和导通损耗，改善所述逆导型绝缘栅双极晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103855089A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210519817.0 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 朱阳军;田晓丽;张文亮;吴振兴 |
| 分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供一重掺杂衬底； 在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm～3e16/cm； 减薄所述重掺杂衬底。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 | ||