发明名称 |
使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法 |
摘要 |
本文提供用以处理基板的方法与装置。在一些实施例中,一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层,所述处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体限定内部空间,所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上,所述含硅涂层的外表面为至少35%原子数的硅。在一些实施例中,一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括:将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间;以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层,其中所述含硅涂层的外表面为至少35%的硅。 |
申请公布号 |
CN102405511B |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201080017514.8 |
申请日期 |
2010.04.12 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种用于基板处理的装置,所述装置包括:处理腔室,所述处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体限定内部空间;以及包含硅和氧的单涂层,所述单涂层设置在所述腔室主体的内部表面上,其中所述涂层具有内表面和外表面,所述内表面靠近所述内部表面,所述外表面为至少35%原子数的硅,并且其中氧浓度从所述内表面朝向所述外表面降低。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |