发明名称 使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法
摘要 本文提供用以处理基板的方法与装置。在一些实施例中,一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层,所述处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体限定内部空间,所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上,所述含硅涂层的外表面为至少35%原子数的硅。在一些实施例中,一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括:将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间;以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层,其中所述含硅涂层的外表面为至少35%的硅。
申请公布号 CN102405511B 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201080017514.8 申请日期 2010.04.12
申请人 应用材料公司 发明人 崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种用于基板处理的装置,所述装置包括:处理腔室,所述处理腔室具有腔室主体,所述腔室主体限定内部空间;以及包含硅和氧的单涂层,所述单涂层设置在所述腔室主体的内部表面上,其中所述涂层具有内表面和外表面,所述内表面靠近所述内部表面,所述外表面为至少35%原子数的硅,并且其中氧浓度从所述内表面朝向所述外表面降低。
地址 美国加利福尼亚州