发明名称 磁性存储系统读磁头的磁阻传感器及其制造方法
摘要 本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火,并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收,由此提高自由层的磁性能。然后,将盖帽层厚度减小到第二厚度,从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽(SS)堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
申请公布号 CN103854668A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201310629032.3 申请日期 2013.11.29
申请人 西部数据(弗里蒙特)公司 发明人 C-H·杨;C-J·钱;C·凯泽;Y·郑;Q·冷;M·帕卡拉
分类号 G11B5/127(2006.01)I;G11B5/48(2006.01)I 主分类号 G11B5/127(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种用于提供包括磁阻传感器的磁性读取换能器的方法,其中所述磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层,所述方法包括:将所述盖帽层设置成具有第一厚度,从而将硼从所述自由层吸收到所述盖帽层;对所述磁阻传感器进行退火;在对所述磁阻传感器进行退火期间,从所述自由层中扩散硼并由所述盖帽层吸收硼;以及在对所述磁阻传感器进行退火之后,将所述盖帽层厚度减小到第二厚度。
地址 美国加利福尼亚州