发明名称 一种LDMOS器件热载流子注入效应的测试方法
摘要 本发明提出了一种LDMOS器件的热载流子效应的测试方法,该测试方法通过对应力条件下获得的器件寿命,利用寿命模型反推出各个工作条件下LDMOS器件的工作寿命,可以得出包括整个工作区间下的HCI的SOA。在本发明中由于不需要对所有工作电压进行寿命测试,大大缩短了整个测试过程的时间。并且利用VB编写的Excel宏程序,可以实现自动抓取数据和计算,大大降低了操作的人力成本。
申请公布号 CN103852700A 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210499936.4 申请日期 2012.11.29
申请人 无锡华润上华半导体有限公司 发明人 杨涛;王少荣
分类号 G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 唐灵;常亮
主权项 一种LDMOS器件的热载流子注入效应测试方法,其特征在于,包括步骤:1)提供一LDMOS器件,已知该LDMOS器件的栅极工作电压和漏极击穿电压;2)测量该LDMOS器件的漏极电流‑漏极电压曲线,得到漏极最大工作电压;3)以步骤2)中漏极最大工作电压为上限值,测量不同漏极电压下的漏极电流‑栅极电压和衬底电流‑栅极电压曲线;4)从步骤2)中的漏极电流‑漏极电压曲线选取一个小于90%的击穿电压的值作为漏极电压应力条件,从步骤3)中的衬底电流‑栅极电压曲线选取最大衬底电流对应的栅极电压作为栅极电压的应力条件;5)以步骤4)中的漏极电压应力条件和栅极电压的应力条件对所述LDMOS器件进行热载流子注入实验,获取应力热载流子注入寿命;6)以步骤1)至5)对若干个样品进行测试,根据该若干个样品的应力热载流子注入寿命拟合出LDMOS器件的热载流子注入使用寿命。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号