利用有机表面钝化及微差电镀延迟进行由底部往上镀层的方法

摘要

本发明的实施例大体上是关于处理半导体基板的设备和方法。实施例提供处理基板的方法，包括在内含沟槽或过孔结构的基板上形成种子层、使用有机钝化膜涂覆部分种子层以及将沟槽或过孔结构浸没在电镀液以沉积导电材料至未被有机钝化膜覆盖的种子层上。

主权项

一种处理基板的方法，包含：在内含沟槽或过孔结构的基板上形成种子层；以有机钝化膜涂覆所述种子层的一部分，其中所述有机钝化膜到达所述沟槽或过孔结构内的一深度，以覆盖所述沟槽或过孔结构上部之上的所述种子层而不覆盖所述沟槽或过孔结构下部上的所述种子层；以及将所述沟槽或过孔结构浸没在电镀液，以沉积导电材料至未被所述有机钝化膜覆盖的所述沟槽或过孔结构下部上的所述种子层上，以使导电材料以从底部往上的方式填充所述沟槽或过孔结构。