| 发明名称 | 自对准双重图形的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；在所述牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层；在所述聚合物层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，位于所述牺牲光刻胶层两侧的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形。由于在牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层，所述聚合物层的硬度远远大于牺牲光刻胶层的硬度，使得牺牲光刻胶层的形状不会因为第一掩膜材料层产生的应力发生形变，且利用沉积工艺和刻蚀工艺形成的聚合物层的转角为直角，使得最终的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。 | ||
| 申请公布号 | CN103839783A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210477219.1 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 沈满华;祖延雷 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；在所述牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层；在所述聚合物层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，直到暴露出所述牺牲光刻胶层顶部表面的聚合物层，位于所述牺牲光刻胶层两侧的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层和聚合物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||