| 发明名称 | 测量深沟槽内载流子浓度分布的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量深沟槽内载流子浓度分布的方法，包括如下步骤：1）在硅外延层或半导体衬底上形成沟槽；2）利用硅外延层填充沟槽；3）平坦化沟槽顶部；4）在沟槽顶部生长预知载流子浓度的多层硅外延层；5）利用SCM（扫描电容显微镜）测量沟槽顶部的各层硅外延层的dC/dV值，并作出dC/dV与载流子浓度的曲线图；6）利用SCM测量沟槽内硅外延层的dC/dV值，并根据步骤5）中的dC/dV与载流子浓度的曲线图求得对应沟槽内硅外延层的载流子浓度。本发明采用SCM的方法，可以方便、快捷、准确的测量深沟槽硅体内的载流子的浓度及其分布。 | ||
| 申请公布号 | CN103837807A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201210484039.6 | 申请日期 | 2012.11.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 成鑫华;刘继全 |
| 分类号 | G01R31/26(2014.01)I;G01Q60/46(2010.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种测量深沟槽内载流子浓度分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在硅外延层或半导体衬底上形成沟槽；2）利用硅外延层填充沟槽；3）平坦化沟槽顶部；4）在沟槽顶部生长预知载流子浓度的多层硅外延层；5）利用SCM测量沟槽顶部的各层硅外延层的dC/dV值，并作出dC/dV与载流子浓度的曲线图；6）利用SCM测量沟槽内硅外延层的dC/dV值，并根据步骤5）中的dC/dV与载流子浓度的曲线图求得对应沟槽内硅外延层的载流子浓度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||