| 发明名称 | 具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出SiGe层；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGeSn层。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的场效应晶体管，其中SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103839827A | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201410063192.0 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种具有SiGeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在所述衬底之上形成栅堆叠或假栅；在所述栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在所述开口位置露出所述SiGe层；向所述SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在所述开口位置形成SiGeSn层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||