发明名称 |
减少掩膜板雾状缺陷的方法 |
摘要 |
本发明提供一种减少掩膜板雾状缺陷的方法,所述方法包括如下步骤:由下至上依次形成掩模板材料、金属铝和第一光刻胶,掩模板材料自下而上包括石英衬底和铬层;以第一光刻胶为掩膜,通过光刻工艺将金属铝刻蚀成铝框架,去除最后还覆盖在铝框架上的第一光刻胶;在暴露出的掩模板材料上以及铝框架上涂敷满第二光刻胶,以第二光刻胶为掩膜,通过光刻工艺将铬层刻蚀以形成掩模板图案,去除最后还覆盖在掩模板材料和铝框架上的第二光刻胶;以纯水作为电解液,通过电解将铝框架的表面氧化以形成氧化铝;在氧化铝上黏贴覆盖层以形成掩模板保护膜,从而使铝框架和掩模板粘合时无需胶水,从而减少雾状产生的影响因子,进而提高铝框架和掩模板的结合力。 |
申请公布号 |
CN103838076A |
申请公布日期 |
2014.06.04 |
申请号 |
CN201410060676.X |
申请日期 |
2014.02.21 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
周军;朱亚丹 |
分类号 |
G03F1/48(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/48(2012.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种减少掩膜板雾状缺陷的方法,其特征在于,包括如下步骤:由下至上依次形成掩模板材料、金属铝和第一光刻胶,所述掩模板材料自下而上包括石英衬底和铬层;以所述第一光刻胶为掩膜,通过光刻工艺将金属铝刻蚀成铝框架,去除最后还覆盖在铝框架上的第一光刻胶;在暴露出的掩模板材料上以及铝框架上涂敷满第二光刻胶,以所述第二光刻胶为掩膜,通过光刻工艺将所述铬层刻蚀以形成掩模板图案,去除最后还覆盖在掩模板材料和铝框架上的第二光刻胶;以纯水作为电解液,通过电解将所述铝框架的表面氧化以形成氧化铝;在所述氧化铝上黏贴覆盖层以形成掩模板保护膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |