集成电路钝化层及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路钝化层及其制造方法，通过硅，碳等离子注入并进行低温微秒退火将生长的二氧化硅层部分非晶化，形成非晶层，非晶层的厚度为10纳米-300纳米，从而阻断了水汽等的通过路径，优化了薄膜晶体管及其它显示器件钝化层的制造工艺，提升了产品的良率，从而有效控制了成本上升。

主权项

一种集成电路钝化层，由下而上至少包括硅片，二氧化硅第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层为氮氧化硅层或者氮化硅层，硅片包括半导体基底、半导体器件及金属互连线，其特征在于，在所述二氧化硅第一钝化层中形成有非晶层，且该非晶层不与所述第二钝化层和所述硅片接触；其中，通过离子注入将二氧化硅的晶体结构破坏成非晶结构，在二氧化硅第一钝化层中形成非晶层。