| 发明名称 | 发光二极管用外延晶片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(Al<sub>X</sub>Ga<sub>1-X</sub>)<sub>Y</sub>In<sub>1-Y</sub>P(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102422445B | 申请公布日期 | 2014.06.04 |
| 申请号 | CN201080019083.9 | 申请日期 | 2010.02.24 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 濑尾则善;松村笃;竹内良一 |
| 分类号 | H01L33/30(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在所述GaAs基板上的pn结型的发光部和设置在所述发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为（Al<sub>X</sub>Ga<sub>1‑X</sub>）<sub>Y</sub>In<sub>1‑Y</sub>P的应变发光层，其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39≤Y≤0.45的数值，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数，所述应变发光层的厚度为8～30nm的范围，所述应变发光层的峰发光波长为655nm～675nm的范围，所述应变调整层的厚度是3～15μm的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||