场氧化层的形成方法

摘要

一种场氧化层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个第一沟槽，相邻所述第一沟槽之间形成第一半导体柱；对所述第一半导体柱进行热氧化工艺直至所述第一半导体柱被全部氧化形成热氧化层，所述热氧化层相互连接形成填充满所述第一沟槽的场氧化层。由于所述形成方法形成了多个第一沟槽，因此在热氧化工艺过程中，热氧化氧面积大幅增加，并且第一半导体柱平均宽度较小，易于被全部氧化，因此，可以大幅缩短氧化时间，即缩短了整个工艺周期，提高工艺效率，并且形成的场氧化层绝缘性能好，从而提高半导体器件的性能。

主权项

一种场氧化层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个第一沟槽，相邻所述第一沟槽之间形成第一半导体柱；对所述第一半导体柱进行热氧化工艺直至所述第一半导体柱被全部氧化形成热氧化层，所述热氧化层相互连接形成填充满所述第一沟槽的场氧化层。