磁传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种磁传感器及其制造方法，该磁传感器用于检测两轴方向或三轴方向磁场，其包括基底；氧化硅膜，形成在基底上，以便形成平坦表面和斜面；多个磁致电阻元件，每个磁致电阻元件都通过在基底上层叠自由层、导电层和钉扎层而形成；多个引线膜，形成为串行连接多个磁致电阻元件；CVD氧化膜，用于覆盖多个磁致电阻元件；和非磁性膜，形成在磁致电阻元件和CVD氧化膜之间，以便相对于每个磁致电阻元件覆盖自由层的周边。由此，可以使磁传感器包括具有优秀磁滞特性的磁致电阻元件。

主权项

一种磁传感器，包括基底；氧化硅膜，形成在所述基底上，以便形成氧化硅膜的平坦表面和斜面；多个磁致电阻元件，每个磁致电阻元件都通过在所述基底上形成的氧化硅膜上形成层叠自由层、导电层、钉扎层和封盖层而形成；多个引线膜，形成为串行连接所述多个磁致电阻元件；化学气相沉积氧化膜，用于覆盖所述多个磁致电阻元件；和非磁性膜，形成在所述磁致电阻元件和所述化学气相沉积氧化膜之间，以便相对于每个磁致电阻元件覆盖所述自由层的周边。其中，所述磁致电阻元件形成在所述基底上形成的所述氧化硅膜的平坦表面和斜面上；所述磁致电阻元件还形成在引线膜上；所述磁致电阻元件的沿其纵向的侧表面向着所述氧化硅膜倾斜；所述多个磁致电阻元件以桥接形式连接。