制造存储器单元法、制造存储器单元装置法和存储器单元

摘要

本发明涉及制造存储器单元的方法、制造存储器单元装置的方法以及存储器单元。一种用于制造根据各种实施例的存储器单元的方法可以包括：在衬底上形成至少一个电荷储存存储器单元结构，电荷储存存储器单元结构具有第一侧墙和与第一侧墙相对的第二侧墙；在衬底和电荷储存存储器单元结构上形成导电层；对导电层进行图案化以在电荷储存存储器单元结构的第一侧墙处形成间隔壁并且在第二侧墙处形成阻挡结构；注入第一掺杂物原子以在靠近间隔壁的衬底中形成第一掺杂区，其中第一掺杂物原子被阻挡结构阻挡；在注入第一掺杂物原子之后去除阻挡结构；注入第二掺杂物原子以在靠近电荷储存存储器单元结构的第二侧墙的衬底中形成第二掺杂区。

主权项

一种用于制造至少一个存储器单元的方法，包括：在衬底上形成至少一个电荷储存存储器单元结构，所述电荷储存存储器单元结构具有第一侧墙和与所述第一侧墙相对的第二侧墙；在所述衬底和所述电荷储存存储器单元结构上沉积导电层；对所述导电层进行图案化以在所述电荷储存存储器单元结构的第一侧墙处形成间隔壁并且在所述电荷储存存储器单元结构的第二侧墙处形成阻挡结构；注入第一掺杂物原子以在靠近所述间隔壁的衬底中形成第一掺杂区，其中所述第一掺杂物原子被所述阻挡结构阻挡；在注入所述第一掺杂物原子之后去除所述阻挡结构；注入第二掺杂物原子以在靠近所述电荷储存存储器单元结构的第二侧墙的衬底中形成第二掺杂区。