双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管

摘要

本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSnn沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构。源极区域材料的晶格常数比GeSnn沟道（103）晶格常数大。GeSnn沟道形成XY面内的双轴张应变，这种应变有利于沟道GeSn从间接带隙转变为直接带隙，从而发生直接量子隧穿，隧穿电流增大，进而提高器件性能。

主权项

一种带有双轴张应变的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，具有一GeSn n沟道、一衬底、一源极、一漏极、一绝缘介质薄膜、一栅电极；    所述源极是通过外延生长或是键合的方式生长在衬底上，其材料为弛豫的单晶半导体材料GeSn，源极、n沟道、漏极形成竖直的器件结构；所述绝缘介电质薄膜环绕生长在GeSn n沟道上；所述栅电极覆盖在绝缘介电质薄膜上；所述源极材料的晶格常数比 n沟道GeSn晶格常数大；形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内的双轴张应变。