| 摘要 |
Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe aus Silizium unmittelbar nach einer chemisch mechanischen Politur der Halbleiterscheibe, umfassend die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) den Transfer der Halbleiterscheibe von einem Polierteller zu einem ersten Reinigungs-Modul, wobei beide Seitenflächen der Halbleiterscheibe im Verlauf des Transfers mindestens einmal mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 1000 Pa besprüht werden; b) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; c) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit einer wässerigen Lösung, die Fluorwasserstoff und ein Tensid enthält, mit einem Druck von nicht mehr als 70000 Pa und nicht weniger als 40000 Pa; d) das Besprühen der Seitenflächen der Halbleiterscheibe mit Wasser mit einem Druck von nicht mehr als 20000 Pa; e) das Tauchen der Halbleiterscheibe in eine wässerige alkalische Reinigungslösung; f) das Reinigen der Halbleiterscheibe zwischen rotierenden Walzen unter Zuführen von Wasser; g) das Besprühen der Halbleiterscheibe mit Wasser; und h) das Trocknen der Halbleiterscheibe, wobei vom Transfer der Halbleiterscheibe vom Polierteller gemäß Schritt a) bis zur Vollendung des Trocknens der Halbleiterscheibe gemäß Schritt h) nicht mehr als 360 s vergehen und Zeiten eingerechnet sind, während derer die Halbleiterscheibe durch Roboter transferiert wird. |
