发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。该方法包括:在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET;以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET,其中第二栅长小于第一栅长,其中,第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠,该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质,栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开。 |
申请公布号 |
CN103811321A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210451050.2 |
申请日期 |
2012.11.12 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱慧珑;梁擎擎 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蔡纯 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在半导体衬底中形成具有第一栅长的第一MOSFET;以及在半导体衬底中形成具有第二栅长的第二MOSFET,其中第二栅长小于第一栅长,其中,第二MOSFET具有侧墙形式的栅堆叠,该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质,栅极电介质将栅极导体与半导体衬底隔开。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |