发明名称 |
覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法,该覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法具有使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,调整工序,通过调整荧光体层的厚度,从而调整从光半导体元件发出并经过荧光体层射出的光的色调。 |
申请公布号 |
CN103811645A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201310541228.7 |
申请日期 |
2013.11.05 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
近藤隆;片山博之 |
分类号 |
H01L33/50(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2010.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,该制造方法具有:使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,调整工序,通过调整上述荧光体层的厚度,从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调。 |
地址 |
日本大阪府 |