发明名称 |
BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO<sub>3</sub>/xNi<sub>0.5</sub>Zn<sub>0.5</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>,0.9≤x≤0.95,以NZFO晶相为主相,BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围,形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为:首先,制得BTO/NZFO复合粉体;其次经加压成型,并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结,得到BTO/NZFO复合陶瓷;然后,再将烧结温度升高,使含量较少的BTO相完全融化成液态,将NZFO相的晶粒完全分隔开来,接着,再将复相陶瓷快速冷却至室温,将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态;最后,将复相陶瓷进行二次退火处理,使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷,其渗流阈值可达90%以上,同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。 |
申请公布号 |
CN103803961A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201410037671.5 |
申请日期 |
2014.01.26 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
杜丕一;肖彬;马宁 |
分类号 |
C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/26(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
林怀禹 |
主权项 |
一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷,其特征在于,该复合陶瓷的组成为(1‑x)BaTiO<sub>3</sub>/xNi<sub>0.5</sub>Zn<sub>0.5</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>,0.9≤x≤0.95,以NZFO晶相为主相,BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围,并将NZFO晶粒完全隔离开来,形成一个由BTO晶相和NZFO晶相组成的复相陶瓷,这是一种具有高渗流阈值铁电/铁磁两相复合陶瓷。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |