应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法

摘要

本发明公开了一种应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法，其中光刻套刻标记包括外延生长前的被对准层图形和外延生长后的对准层图形，根据外延时一维图形的生长速度和二维图形的生长速度的差异，在被对准层图形的光刻掩膜版的四角对称地增加或减掉具有补偿生长速度差异的补偿图形。采用本发明的制备方法，能降低因生长速度不同引起的外延畸变。

主权项

一种应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法，所述光刻套刻标记包括外延生长前的被对准层图形和外延生长后的对准层图形，其特征在于：根据外延时一维图形的生长速度和二维图形的生长速度的差异，在被对准层图形的光刻掩膜版的四角对称地增加或减掉具有补偿生长速度差异的补偿图形：所述被对准图形为凹陷图形时，当外延时一维图形的生长速度大于二维图形的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，所使用的光刻掩膜版为原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地减掉一补偿图形后的图形；当外延时一维图形外延的生长速度小于二维图形外延的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，为在原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地增加一补偿图形后的图形；所述被对准图形为凸起图形时，当外延时一维图形的生长速度大于二维图形的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，所使用的光刻掩膜版为原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地增加一补偿图形后的图形；当外延时一维图形外延的生长速度小于二维图形外延的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，为在原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地减掉一补偿图形后的图形。