发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括:在衬底上形成第一掩蔽层,并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一;在衬底上形成第二掩蔽层,并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个;去除第二掩蔽层的一部分,所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个;以及形成第一栅介质层和浮栅层;在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成掩模层,并以该掩模层为掩模,对浮栅层进行构图,然后去除掩模层;以及形成第二栅介质层,并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 |
申请公布号 |
CN103811315A |
申请公布日期 |
2014.05.21 |
申请号 |
CN201210441230.2 |
申请日期 |
2012.11.07 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱慧珑 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
倪斌 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成第一掩蔽层,并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一;在衬底上形成第二掩蔽层,并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个;去除第二掩蔽层的一部分,所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个;以及形成第一栅介质层和浮栅层;在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成掩模层,并以该掩模层为掩模,对浮栅层进行构图,然后去除掩模层;以及形成第二栅介质层,并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |