发明名称 | 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法 | ||
摘要 | 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法,涉及LED器件。1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层;2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层;3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶,利用硬模板直接纳米压印,脱模后在胶体表面形成纳米结构;4)对外延片进行残胶去除;5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分,即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上;6)去除掩膜层表面所有残余压印胶;7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)所述相同的透明导电层;8)去除外延片表面残余掩膜层,在透明导电层上得到光子晶体结构;9)将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。 | ||
申请公布号 | CN103794688A | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
申请号 | CN201410049914.7 | 申请日期 | 2014.02.13 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 刘宝林;陈志远;朱丽虹;曾凡明;林飞 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层;2)在步骤1)生长的透明导电层上生长一层掩膜层;3)在步骤2)生长的掩膜层上涂上压印胶,利用具有纳米结构的硬模板直接进行纳米压印,脱模后在胶体表面形成纳米结构;4)对外延片进行残胶去除以保证胶体纳米孔状结构中的残胶均被移除;5)对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分,即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上;6)去除掩膜层表面所有残余压印胶;7)在外延片表面再次蒸镀与步骤1)所述相同的透明导电层;8)去除外延片表面残余掩膜层,在透明导电层上得到光子晶体结构;9)将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |