| 发明名称 | 半导体元件用外延基板、肖特基接合结构以及肖特基接合结构的漏电流抑制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为In<sub>x1</sub>Al<sub>y1</sub>Ga<sub>z1</sub>N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为In<sub>x2</sub>Al<sub>y2</sub>N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。 | ||
| 申请公布号 | CN102024845B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN201010251699.0 | 申请日期 | 2010.08.09 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 三好実人;市村干也;角谷茂明;杉山智彦;仓冈义孝;田中光浩 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;刘文君 |
| 主权项 | 一种半导体元件用外延基板，其由III族氮化物层群以（0001）结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其特征在于，具有由组成为In<sub>x1</sub>Al<sub>y1</sub>Ga<sub>z1</sub>N（x1+y1+z1=1,z1>0）的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为In<sub>x2</sub>Al<sub>y2</sub>N（x2+y2=1,x2>0,y2>0）的第二III族氮化物构成的势垒层，上述第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县名古屋市 | ||