| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种小且高性能的半导体器件及该半导体器件的有效制造方法，在该半导体器件中防止了相邻导线的接触，从而提高了设计线路配置图的灵活性。本发明的半导体器件包括：基板(10)，其表面上设置有电极(21A)；以及第一半导体元件(11A)，包括设置在其表面上的电极(22)，并且该第一半导体元件(11A)由该基板(10)支撑，其中，第一导线(41)通过第一凸块(31)连接到该基板(10)和该第一半导体元件(11A)的上方的所述电极中的至少一个电极(即电极(21)和电极(22)中的至少一个)，并且第二导线(42)通过第二凸块(32)连接到第一导线(41)的焊接部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101114628B | 申请公布日期 | 2014.05.14 |
| 申请号 | CN200710001452.1 | 申请日期 | 2007.01.08 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 西村隆雄;成泽良明 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板，其表面上设置有电极；第一半导体元件，其表面上设置有电极，并且该第一半导体元件由该基板支撑；第一导线，其通过第一凸块连接到布置在该第一半导体元件上的电极中的至少一个电极；第二导线，其通过第二凸块连接到该第一导线的焊接部分；第三导线，其与该第一导线和该第二导线中的至少一条导线交叉，并且设置为远离该第一导线和该第二导线，所述第三导线的环路的顶部高度的位置不同于所述第一导线和所述第二导线中的至少一个环路的顶部高度的位置；以及第二半导体元件，其表面上设置有电极，并且该第二半导体元件由该第一半导体元件支撑，所述第二导线和所述第三导线都连接到所述第二半导体元件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||