半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种防止镀覆层在半导体衬底的另一个主面侧异常析出的同时、能够以低成本且稳定地在半导体衬底的一个主面侧形成镀覆层的半导体器件制造方法。首先，在n^-型半导体衬底的正面和背面分别形成发射极电极和集电极电极。接着，将第一膜粘贴于n^-型半导体衬底的背面。接着，在n^-型半导体衬底的槽部中埋入树脂构件。接着，从n^-型半导体衬底的正面跨至其背面地将第二膜粘贴于n^-型半导体衬底的外周部。将第一膜及第二膜粘贴成以将残留在第一膜及第二膜与n^-型半导体衬底之间的空气挤出。然后，在将第一膜及第二膜粘贴于n^-型半导体衬底的状态下进行无电解镀覆处理，从而在n^-型半导体衬底的正面侧依次形成镍镀覆层和金镀覆层。

主权项

一种半导体器件制造方法，在半导体衬底的一个主面侧利用镀覆处理形成镀覆层，其特征在于，所述方法包括：电极形成步骤，在该电极形成步骤中，在所述半导体衬底的一个主面侧形成第一电极，并在所述半导体衬底的另一个主面侧形成第二电极；第一膜粘贴步骤，在该第一膜粘贴步骤中，在所述电极形成步骤之后，将第一膜粘贴于所述半导体衬底的另一个主面，以防止在进行所述镀覆处理时所述镀覆层析出到所述第二电极；第二膜粘贴步骤，在该第二膜粘贴步骤中，在所述第一膜粘贴步骤之后，将第二膜粘贴于所述半导体衬底的外周部，以防止在进行所述镀覆处理时所述镀覆层析出到所述半导体衬底的外周部；以及镀覆步骤，在该镀覆步骤中，在所述第二膜粘贴步骤之后，利用所述镀覆处理在所述半导体衬底的一个主面侧形成与所述第一电极接触的所述镀覆层。