发明名称 硅通孔测试版图、测试结构、制备方法及量测方法
摘要 本发明提供了一种硅通孔测试版图、硅通孔测试结构及其制备方法、以及硅通孔电阻的量测方法,在硅通孔测试结构中,在硅片正面设置有互呈镜像对称分布的第一硅通孔阵列和第二硅通孔阵列,在硅片背面沉积有一层金属层,利用背面的金属层作为两个硅通孔阵列之间的连通电阻,实现了只在正面施加驱动电流即可进行硅通孔电阻的量测;同时,采用等臂分流思路,利用相同的引线分别将每个硅通孔阵列中的硅通孔与相应的测试模块相连接,确保了各个支路的电流相同,从而有效规避了引线电阻的影响,提高了硅通孔电阻的量测精度,有利于后期的硅通孔的应用和开发。
申请公布号 CN103794598A 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201410071731.5 申请日期 2014.02.28
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 林宏
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种硅通孔测试版图,其特征在于,由硅通孔光刻层的版图与测试模块和引线光刻层的版图叠加形成,其中,所述硅通孔光刻层的版图包括互为镜像对称图形的第一硅通孔阵列图形和第二硅通孔阵列图形;所述测试模块和引线光刻层的版图包括:互为镜像对称图形的第一测试模块图形和第二测试模块图形,互为镜像对称图形的若干条第一引线图形和若干条第二引线图形;所述第一测试模块图形包括第一电流施加模块图形和第一电压测试模块图形,所述第二测试模块图形包括第二电流施加模块图形和第二电压测试模块图形;其中,所述第一硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第一电流施加模块图形通过所述第一引线图形相连接,所述第一硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第一电压测试模块图形通过所述第一引线图形相连接;所述第二硅通孔阵列图形中的各个硅通孔图形与所述第二电流施加模块图形通过所述第二引线图形相连接,所述第二硅通孔阵列图形中的任意一个硅通孔图形与所述第二电压测试模块图形通过所述第二引线图形相连接;所述第一引线图形和所述第二引线图形相同。
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号