具有对准标记的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种具有对准标记的半导体结构及其形成方法。在一实施例的半导体结构中，多个栅极堆叠形成于半导体基板上并构成对准标记。多个掺杂结构形成于半导体基板中并位于每一栅极堆叠的两侧。多个通道区位于栅极堆叠下方，且通道区不具有任何通道掺质。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板，其具有一组件区与一对准区；进行一第一离子布植至该半导体基板的该组件区中，同时以一布植掩模层覆盖该对准区，该第一离子布植是择自井区布植、临界电压布植与上述的组合；接着形成一第一多晶硅栅极堆叠于该组件区中，与一第二多晶硅栅极堆叠于该对准区中；以及接着进行一第二离子布植至该半导体基板的该组件区与该对准区，该第二离子布植的步骤会调整该半导体基板的折射率，且会将来自该对准区的对准信号的晶片质量提升至大于1％，其中所述的晶片质量(WQ)的定义如下式：WQ=(SSalign／Gainalign)／(SSref/Gainref)在上式中，SSalign为来自对准标记的对准信号强度，Gainalign为对准信号的增益信号强度，SSref为来自基准标记的标准信号强度，Gainref为标准信号的增益强度。