半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一鳍；和在衬底上形成且与第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中第一鳍包括与隔离膜接触的第一区、与隔离膜无接触的第二区、以及在第一区和第二区之间的分界线，第一区具有相对于分界线是直角的斜度，以及第二区具有相对于分界线是锐角的斜度。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一鳍；和在所述衬底上形成且与所述第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中所述第一鳍包括与所述隔离膜接触的第一区、与所述隔离膜无接触的第二区、以及在所述第一区和所述第二区之间的分界线，所述第一区具有相对于所述分界线是直角的斜度，以及所述第二区具有相对于所述分界线是锐角的斜度。