发明名称 | 一种提高发光效率的LED结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种提高发光效率的LED结构,该LED结构为,在衬底上依次沉积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多量子阱、p型氮化铝镓层、p型氮化镓层、接触层以及之上的p电极,以及n型氮化镓层与其上的n电极,所述多量子阱由多个量子阱和量子垒交替形成,且在沿n型导电氮化镓层到p型氮化铝镓层的方向上,多量子阱内的量子垒的厚度逐步减小。本发明通过改变沿n型层到p型层方向上量子垒的厚度解决目前存在的LED中空穴分布不均匀造成发光效率低下的问题。 | ||
申请公布号 | CN103779462A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
申请号 | CN201410028190.8 | 申请日期 | 2014.01.21 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张宁;任鹏;刘喆;李晋闽;王军喜 |
分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
主权项 | 一种提高发光效率的LED结构,该LED结构为,在衬底上依次沉积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多量子阱、p型氮化铝镓层、p型氮化镓层、接触层以及之上的p电极,以及n型氮化镓层与其上的n电极,其特征在于:所述多量子阱由多个量子阱和量子垒交替形成,且在沿n型导电氮化镓层到p型氮化铝镓层的方向上,多量子阱内的量子垒的厚度逐步减小。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |