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<p>본 발명은 트랜지스터를 형성하는 방법을 제공한다. 이 방법은 절연층 위에 제 1 반도체 물질의 제 1 층을 형성하는 것을 포함한다. 제 1 반도체 물질은 제 1 캐리어 타입의 이동도를 높이기 위해 선택된다. 이 방법은 또한, 제 1 층 위에 제 2 반도체 물질의 제 2 층을 형성하는 것을 포함한다. 제 2 반도체 물질은 제 1 캐리어 타입과 반대되는 제 2 캐리어 타입의 이동도를 높이기 위해 선택된다. 이 방법은 또한 제 2 층에 인접하여 제 1 마스킹 층을 형성하는 것, 그리고 제 1 마스킹 층을 통해 제 2 층을 에칭하여 제 2 층에 적어도 하나의 피처가 형성되도록 하는 것을 더 포함한다. 제 2 층에서의 각각의 피처는 제 2 층의 일부를 갖는 반전된 T자 형상을 형성한다.</p> |
