| 发明名称 |
形成高锗浓度的矽锗应力源的方法及积体电路电晶体结构 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI436433 |
申请公布日期 |
2014.05.01 |
| 申请号 |
TW099124883 |
申请日期 |
2010.07.28 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
张志豪;许俊豪;王建勋;叶致锴;张致祥 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
