| 发明名称 | 精确对准的搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)采用灰度光刻掩模版对光刻胶进行曝光以形成栅极掩膜，该灰度光刻掩模版包括位于两侧透光区以及位于透光区之间的相间排列的不透光区和部分透光区，且两侧的透光区与不透光区相邻，其中栅极掩膜中对应于部分透光区的部分形成凹槽，凹槽的深度小于栅极掩膜的总厚度；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN103762166A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201110461842.3 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 苗青盛;王凤华 |
| 主权项 | 一种搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)在衬底上形成多晶硅层；2)在多晶硅层上形成栅极绝缘层、栅极层、光刻胶；3)采用灰度光刻掩模版对光刻胶进行曝光以形成栅极掩膜，该灰度光刻掩模版包括位于两侧透光区以及位于透光区之间的相间排列的不透光区和部分透光区，且两侧的透光区与不透光区相邻，其中栅极掩膜中对应于部分透光区的部分形成凹槽，凹槽的深度小于栅极掩膜的总厚度；4)以栅极掩膜为阻挡，进行刻蚀以形成栅极，并进行离子注入以在多晶硅层中掺杂形成搭桥晶粒线以及源/漏极区。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||