在基片上形成多掺杂结的方法

摘要

本文公开一种用于在基片上形成多掺杂结的方法。该方法包括提供掺杂有硼的基片，该基片包括第一基片表面，该第一基片表面具有第一表面区域和第二表面区域。所述方法还包括将第一组纳米颗粒沉积在所述第一表面区域上，该第一组纳米颗粒包括第一掺杂剂。所述方法进一步包括在惰性环境下将所述基片加热到第一温度并且持续第一时间段，从而产生第一致密薄膜，并且进一步产生第一扩散区域，该第一扩散区域在所述第一表面区域之下的基片中具有第一扩散深度。所述方法还包括在第二温度下将所述基片暴露于包括磷的扩散气体中并且持续第二时间段，从而在所述第一基片表面上产生PSG层并且进一步产生第二扩散区域，该第二扩散区域在所述第二表面区域之下的基片中具有第二扩散深度，其中所述第一扩散区域与所述第二扩散区域相邻。所述方法进一步包括在第三温度下将所述基片暴露于氧化性气体中并且持续第三时间段，其中在所述PSG层与所述基片表面之间形成SiO₂层，其中所述第一扩散深度充分大于所述第二扩散深度。

主权项

一种用于在基片上形成多掺杂结的方法，所述方法包括：提供掺杂有硼的基片，所述基片包括正表面，所述正表面具有第一表面区域和第二表面区域；将包括第一掺杂剂的第一组纳米颗粒沉积在所述第一表面区域上；在惰性环境下将所述基片加热到第一温度并持续第一时间段，由此产生第一致密薄膜以及第一扩散区域，所述第一扩散区域在所述第一表面区域之下的基片中具有第一扩散深度；在第二温度下将所述基片暴露于包括磷的扩散气体中并且持续第二时间段，由此在所述正表面的第二表面区域上产生PSG层以及第二扩散区域，所述第二扩散区域在所述第二表面区域之下的基片中具有第二扩散深度，其中所述第一扩散区域与所述第二扩散区域相邻；并且在第三温度下将所述基片暴露于氧化性气体中并且持续第三时间段，由此在所述PSG层与所述正表面之间形成SiO₂层并且相对于所述第二扩散深度增大所述第一扩散深度。