发明名称 分离的三维存储器
摘要 本发明提出一种分离的三维存储器(3D-M)。它含有至少两个分离的芯片:一存储阵列芯片和一周边电路芯片。存储阵列芯片含有多个构建在三维空间中的3D-M阵列;周边电路芯片含有至少一个构建在二维平面上的周边电路组件。3D-M的至少一个周边电路组件(如电荷泵电路)形成在周边电路芯片中,而非在存储阵列芯片中。存储阵列芯片的阵列效率可以很容易地超过70%。
申请公布号 CN103765516A 申请公布日期 2014.04.30
申请号 CN201280042089.7 申请日期 2012.08.26
申请人 杭州海存信息技术有限公司 发明人 张国飙
分类号 G11C5/02(2006.01)I 主分类号 G11C5/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 PCT国内申请,权利要求书已公开。
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