发明名称 | 分离的三维存储器 | ||
摘要 | 本发明提出一种分离的三维存储器(3D-M)。它含有至少两个分离的芯片:一存储阵列芯片和一周边电路芯片。存储阵列芯片含有多个构建在三维空间中的3D-M阵列;周边电路芯片含有至少一个构建在二维平面上的周边电路组件。3D-M的至少一个周边电路组件(如电荷泵电路)形成在周边电路芯片中,而非在存储阵列芯片中。存储阵列芯片的阵列效率可以很容易地超过70%。 | ||
申请公布号 | CN103765516A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
申请号 | CN201280042089.7 | 申请日期 | 2012.08.26 |
申请人 | 杭州海存信息技术有限公司 | 发明人 | 张国飙 |
分类号 | G11C5/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/02(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | PCT国内申请,权利要求书已公开。 | ||
地址 | 310051 浙江省杭州市(高新区)邮政信箱5288号 |