半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管

摘要

本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管，所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层，所述高压晶体管形成在器件层的表面，所述支撑衬底中包括一辅助耗尽层，所述辅助耗尽层由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成。本发明的优点在于，通过在支撑衬底中设置由P型半导体层和N型半导体层交替堆叠构成的辅助耗尽层，可以有效地抑制衬底辅助耗尽效应，提高器件耐压能力。

主权项

一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底由具有第一导电类型的半导体材料构成；在支撑衬底表面形成沟槽；在所述沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料，形成由第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层沿着平行于支撑衬底表面的方向交替堆叠构成的辅助耗尽层；在辅助耗尽层的表面上继续形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成器件层。