| 发明名称 | 基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法，包括单晶硅LED、栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）、多晶硅PIN探测器（3）以及P型衬底（12），所述单晶硅LED包括单晶硅LED阳极及其接触区（5）、单晶硅LED阴极及其接触区（6）；设置在P型衬底（12）中的N阱（1）中；所述栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）采用两层CMOSFET的SiO<sub>2</sub>层结构，作为该互连结构的光波导，其厚度为<img file="DDA0000451027210000011.GIF" wi="92" he="50" />或<img file="DDA0000451027210000012.GIF" wi="104" he="50" />；以及所述多晶硅PIN探测器设置于所述栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）之上，分成了三个区域。本发明可为基于标准CMOS工艺的光互连系统提供一些新的、有益的参考。 | ||
| 申请公布号 | CN103762265A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201310756059.9 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 张世林;谢荣;郭维廉;毛陆虹;谢生;张兴杰 |
| 分类号 | H01L31/173(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/173(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 李素兰 |
| 主权项 | 1.一种基于标准CMOS工艺的新型光互连结构，其特征在于，该结构包括单晶硅LED、栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）、多晶硅PIN探测器（3）以及P型衬底（12），其中：所述单晶硅LED包括单晶硅LED阳极及其接触区（5）、单晶硅LED阴极及其接触区（6）；设置在P型衬底（12）中的N阱（1）中；所述栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）采用两层CMOSFET的SiO<sub>2</sub>层结构，作为该互连结构的光波导，其厚度为<img file="FDA0000451027180000011.GIF" wi="85" he="50" />或<img file="FDA0000451027180000012.GIF" wi="104" he="50" />；所述多晶硅PIN探测器设置于所述栅极氧化SiO<sub>2</sub>层（2）之上，分成了三个区域，包括多晶硅探测器的阳极及其接触区（7）；多晶硅探测器的阴极及其接触区（8）、多晶硅探测器的i区（9）以及设置于多晶硅探测器的阳极及其接触区（7）和多晶硅探测器的阴极及其接触区（8）上的多晶硅探测器的电极通孔（10）。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||