| 摘要 |
1. Солнечный элемент, содержащий:стеклянную подложку;первый проводящий слой на основе CNT, расположенный непосредственно или косвенно на стеклянной подложке;первый полупроводниковый слой в контакте с первым проводящим слоем на основе CNT;по меньшей мере, один поглощающий слой, расположенный непосредственно или косвенно на первом полупроводниковом слое;второй полупроводниковый слой, расположенный непосредственно или косвенно на, по меньшей мере, одном поглощающем слое;второй проводящий слой на основе CNT в контакте со вторым полупроводниковым слоем; иконтакт к тыльной поверхности, расположенный непосредственно или косвенно на втором проводящем слое на основе CNT.2. Солнечный элемент по п. 1, дополнительно содержащий просветляющее покрытие, обеспеченное на поверхности подложки, противоположной первому проводящему слою на основе CNT.3. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый полупроводниковый слой является полупроводниковым слоем n-типа, и первый слой на основе CNT легирован легирующими примесями n-типа.4. Солнечный элемент по п. 3, в котором второй полупроводниковый слой является полупроводниковым слоем p-типа, и второй слой на основе CNT легирован легирующими примесями p-типа.5. Солнечный элемент по п. 4, дополнительно содержащий слой оксида олова, легированного цинком, размещенный между стеклянной подложкой и первым слоем на основе CNT.6. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый и/или второй полупроводниковые слои содержат полимерный(ые) материал(ы).7. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:подложку;по меньшей мере, один фотоэлектрический тонкопленочный слой;первый и второй электроды; ипервый и второй прозрачные п |
