| 发明名称 | 阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的栅极（22）、形成于栅极（22）上的栅极绝缘层（23）、形成于栅极绝缘层（23）上的氧化物半导体层（24）、形成于氧化物半导体层（24）与栅极绝缘层（23）上的源/漏极（25）、形成于氧化物半导体层（24）、源/漏极（25）与栅极绝缘层（23）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于彩膜滤光片（27）与保护层（26）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），所述像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（25），且该像素电极（29）线状排布，并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103744225A | 申请公布日期 | 2014.04.23 |
| 申请号 | CN201310739608.1 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 曾志远;连水池;罗长诚 |
| 分类号 | G02F1/1335(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1335(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板（20）、形成于玻璃基板（20）上的栅极（22）、形成于栅极（22）与玻璃基板（20）上的栅极绝缘层（23）、形成于栅极绝缘层（23）上的氧化物半导体层（24）、形成于氧化物半导体层（24）与栅极绝缘层（23）上的源/漏极（25）、形成于氧化物半导体层（24）、源/漏极（25）与栅极绝缘层（23）上的保护层（26）、形成于保护层（26）上的彩膜滤光片（27）、形成于彩膜滤光片（27）与保护层（26）上的平坦化层（28）及形成于平坦化层（28）上的像素电极（29），所述像素电极（29）电性连接于所述源/漏极（25），且该像素电极（29）线状排布，并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||